SLD3090T 是一顆采用 Trench 工藝的 N 溝道功率 MOSFET，30 V/74 A 規(guī)格，典型 RDS(on) 僅 4.5 mΩ（10 V 驅(qū)動(dòng)），柵極電荷 39 nC。專為 24 V 母線、鋰電保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 同步整流等“大電流、高效率”場景設(shè)計(jì)，TO-252（D-Pak）封裝兼顧散熱與體積，是板級電源的“動(dòng)力小鋼炮”。

關(guān)鍵參數(shù)速覽

封裝與引腳（TO-252/D-Pak）

• 背面金屬：與 Drain 同電位，直接焊在銅皮散熱
• 源極腳：寬 1.5 mm，可過 50 A 電流（2 oz 銅）
• 柵極腳：串 10 Ω 電阻即可抑制振鈴

典型特性曲線

1. RDS(on) vs ID：20 A 內(nèi)幾乎水平，4.5 mΩ 穩(wěn)如老狗
2. RDS(on) vs Tj：125 ℃ 時(shí)上升 1.45 倍，仍 < 7 mΩ
3. VGS(th)：1.5 V 典型，2 V 飽和，兼容 3.3 V 邏輯驅(qū)動(dòng)
4. Safe Operating Area：DC 74 A、10 ms 200 A、1 ms 500 A 安全區(qū)

應(yīng)用電路：24 V 輸入同步 Buck

24 V ──? 10 μF ─┬─? Q1 高邊 ──? L 4.7 μH ──? 5 V/10 A
    │    │
    SLD3090T   100 nF
    │    │
DRV ──? 10 Ω ──G    └──? 470 μF ──? LOAD
    │
    GND

• 開關(guān)頻率：500 kHz，Qg × fsw 損耗僅 19 mW
• 溫升實(shí)測：IOUT = 20 A，Tc = 85 ℃，芯片表面 110 ℃，余量 40 ℃
• 效率：98.2 % @ 10 A，97.1 % @ 20 A

設(shè)計(jì)錦囊

1. 驅(qū)動(dòng)電壓：
   • 5 V 驅(qū)動(dòng)：RDS(on) 6.5 mΩ，適合單片機(jī)直接推
   • 10 V 驅(qū)動(dòng)：RDS(on) 4.5 mΩ，追求極致效率
2. 并聯(lián)均流：
   兩顆 SLD3090T 并聯(lián)，源極各串 5 mΩ 銅線，電流誤差 < 5 %
3. 雪崩冗余：
   電機(jī)負(fù)載并 TVS 33 V，雪崩能量 31 mJ 留 50 % 裕量
4. PCB 散熱：
   背面銅皮 20 mm × 20 mm，2 oz，RthJA 從 62.5 ℃/W 降至 35 ℃/W

與競品對比（同樣 TO-252）

總結(jié)

SLD3090T 以其卓越的性能和高度集成的設(shè)計(jì)，為高電流應(yīng)用提供了理想的解決方案。它不僅在導(dǎo)通電阻和柵極電荷方面表現(xiàn)出色，還通過優(yōu)化的 Trench 工藝實(shí)現(xiàn)了低損耗和高效率。無論是用于 24 V 母線、鋰電保護(hù)還是電機(jī)驅(qū)動(dòng)，SLD3090T 都能憑借其出色的性能和可靠性，助力工程師設(shè)計(jì)出更高效、更緊湊的電源管理系統(tǒng)。深圳三佛科技提供技術(shù)支持，批量價(jià)格有優(yōu)勢~