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LP3798EAM/LP3798EBM/LP3798ESM原邊控制SiC恒壓恒流芯片24W/36W
類別:產品新聞 發布時間:2026-01-12 14:28:03 瀏覽人數:18462

LP3798EAM/EBM/ESM是芯茂微推出的「原邊控制+內置SiC功率管」二合一方案,覆蓋12V2A-12V3A(24W-36W)主流功率段。無需光耦、TL431和肖特基,單層PCB即可通過EMI Class B,峰值效率>91%,BOM數量比傳統方案減少20%,特別適合小家電、智能鎖、機頂盒、電動工具等成本敏感且空間受限的應用。

訂購信息與功率選型


訂購型號封裝內阻推薦功率備注
LP3798EAMASOP-618W(90-265V) / 24W(176-265V)小外殼
LP3798EBMASOP-61.2Ω24W(90-265V) / 36W(176-265V)通用型
LP3798ESMASOP-61.0Ω24W(90-265V) / 36W(176-265V)小體積&大電流
所有子型號腳位兼容,僅SiC Rdson差異,可根據外殼尺寸和散熱條件快速切換。


典型應用電路(24W 示例)



  • 輸出電壓由FB分壓設定(公式見Datasheet 式1)
  • 恒流點由RCS設定(式11):IOCP ≈ VREFCCP·NP/(NS·RCS)
  • 無光耦、無TL431,單面PCB 45mm×39mm即可實現24W


管腳定義與封裝



底部散熱焊盤接GND,推薦開3×3過孔到內層銅,熱阻θJA≈50°C/W。


內部框架圖解讀



  1. 750V SiC Power MOSFET —— 去掉外部高壓MOS
  2. PFM+抖頻振蕩器 —— 100kHz/65kHz/24kHz三檔,±3%周期抖動,EMI峰值降低5dB
  3. CV/CC雙環路 —— 恒壓時采樣FB退磁電壓;恒流時采樣CS中心點電壓與退磁占比乘積
  4. 逐周期保護庫 —— OVP/UVP/OCP/OTP/TONMAX/FB開短路/CS開短路,全部自恢復
  5. 軟啟動&斜坡補償 —— 13.5ms階梯升峰,CCM占空比>50%也不出現次諧波振蕩


應用設計要點


  1. 啟動電阻RST
    選1MΩ-2MΩ/0.25W,啟動電流僅2μA,待機功耗<75mW
  2. 變壓器設計
    • NP:NA:NS推薦210:28:14(24W)
    • 漏感<25μH,降低尖峰
    • Bmax<0.35T,避免飽和
  3. RCS計算
    目標IOCP=2A,選RCS=0.25Ω/1W,公式見式11
  4. FB分壓電阻
    RFBH=24k,RFBL=4.3k,得到12V±1%
  5. PCB布局
    • 功率環路(母線電容-D-變壓器)面積<30mm2
    • CS采樣電阻Kelvin到GND,遠離高壓節點
    • VCC旁路1μF+100nF緊靠2腳
    • 散熱焊盤打9孔0.3mm到內層地,溫升再降8°C


實測性能(參考24W Demo)


  • 峰值效率:91.2%@230V/1.5A
  • 空載功耗:58mW@230V
  • 輸出紋波:120mV(20MHz帶寬)
  • 動態負載0-100%:ΔVo<±200mV,恢復<400μs
  • 傳導EMI:QP余量>6dB@500kHz,無需共模電感
  • 雷擊:±4kV L-PE/N-PE PASS
  • OTP:150°C自恢復,45°C殼內滿載4h無降額


子型號切換指南


  • 小外殼/散熱差:選EAM(5Ω),成本低,18W足矣
  • 通用24W:EBM(1.2Ω),性價比最高
  • 36W/小體積:ESM(1.0Ω),導通損耗最小,注意銅箔散熱



所有型號腳位相同,只需更改RCS與變壓器匝比,一周內可完成平臺切換。


深圳三佛科技提供技術支持,批量價格有優勢~


總結


LP3798ExM系列把「750V SiC功率管+原邊CV/CC控制+全套保護」塞進ASOP-6,用一顆芯片解決傳統24W-36W適配器里“高壓MOS+肖特基+光耦+431”的復雜架構。峰值效率>91%,待機<75mW,單層PCB過EMI,BOM成本立降20%。無論是小家電、智能鎖還是電動工具,選擇LP3798E就是選擇“外圍最少、體積最小、可靠性最高”的功率答案。

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