PN8366集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開(kāi)/短路保護(hù)等。

PN8366SSC-R1M產(chǎn)品特性
內(nèi)置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，小于30mW空載損耗（230VAC）
采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率，滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補(bǔ)償外部可調(diào)
無(wú)需額外補(bǔ)償電容
無(wú)音頻噪聲
智能保護(hù)功能 過(guò)溫保護(hù) (OTP) 
VDD欠壓&過(guò)壓保護(hù) (UVLO&OVP) 
逐周期過(guò)流保護(hù) (OCP) 
CS開(kāi)/短路保護(hù) (CS O/SP） 
開(kāi)環(huán)保護(hù) (OLP)

PN8366SSC-R1M應(yīng)用領(lǐng)域
開(kāi)關(guān)電源適配器
電池充電器
機(jī)頂盒電源.